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  4. Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer：
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Additional Feature：
Avalanche Energy Rating (Eas)：
Base Part Number：
Configuration：
Continuous Drain Current (ID)：
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
Current Rating：
Drain Current-Max (Abs) (ID)：
Drain to Source Breakdown Voltage：
Drain to Source Voltage (Vdss)：
Drain-source On Resistance-Max：
DS Breakdown Voltage-Min：
Factory Lead Time：
Fall Time (Typ)：
FET Feature：
FET Type：
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
Gate to Source Voltage (Vgs)：
Height：
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
JEDEC-95 Code：
JESD-30 Code：
JESD-609 Code：
Length：
Max Power Dissipation：
Moisture Sensitivity Level (MSL)：
Number of Elements：
Number of Terminations：
Operating Temperature：
Package / Case：
Pbfree Code：
Peak Reflow Temperature (Cel)：
Pin Count：
Power - Max：
Power Dissipation：
Published：
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：
Qualification Status：
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
Reach Compliance Code：
Rise Time：
RoHS Status：
Series：
Supplier Device Package：
Terminal Finish：
Threshold Voltage：
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：
Turn On Delay Time：
Turn-Off Delay Time：
Vgs(th) (Max) @ Id：
Voltage - Rated DC：
Weight：
Width：
Filter：
29 Records
Image Part Manufacturer Description Price Stock Action
SI4618DY-T1-E3
SI4618DY-T1-E3
Vishay
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
-
RFQ
25,367
In-stock Warehouse
ADD TO RFQ
SI4670DY-T1-E3
SI4670DY-T1-E3
Vishay
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
-
RFQ
118
In-stock Warehouse
ADD TO RFQ
SI4834CDY-T1-GE3
SI4834CDY-T1-GE3
Vishay
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
-
RFQ
11,418
In-stock Warehouse
ADD TO RFQ
SI4830CDY-T1-E3
SI4830CDY-T1-E3
Vishay
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
-
RFQ
166,616
In-stock Warehouse
ADD TO RFQ
SI4214DY-T1-GE3
SI4214DY-T1-GE3
Vishay
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
-
RFQ
27,949
In-stock Warehouse
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